電子束蒸發鍍膜機
電子束蒸發鍍膜機可蒸鍍金屬薄膜、介質薄膜、光學薄膜。如在半導體或融石英、微晶玻璃基片上蒸鍍MgF2等介質薄膜,MgF2蒸發厚度為10-150nm,在10^4Pa高真空時鍍鋁的厚度為5-3000nm,膜層結合力良好,表面呈銀白色。蒸發速率穩定。具有一定的小批量生產能力。設備運行穩定、可靠,能夠連續24小時工作。該設備所有零部件是全新產品,技術成熟,操作直觀簡便,設備易于維護和維修。
電阻蒸發鍍膜系統
PS-300M2高真空電阻蒸發鍍膜機配2組慈發源(可使用絲狀源與舟狀源),兼容金屬材料蒸發與有機材料蒸發(有機材料蒸發使用鎢籃與坩堝組合的蒸發源)。該設備主機與控制一體化設計,操控方便;結構緊湊,占地面積小。可用來制備金屬膜、有機膜及掃描電鏡制樣等。該系列設備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產型企業前期探索性實驗及開發新產品等。
磁控濺射鍍膜機
PS-200單靶磁控濺射鍍膜機主要由真空室、磁控靶、旋轉基片架、真空系統、機架、電器控制等幾大部分組成。可用來制備導電膜、金屬膜、介質膜、半導體膜、絕緣膜、多層膜等。設備結構緊湊,占地面積小適合高校實驗室及科研院所。
ALD原子層沉積設備
原子層沉積技術以精準控制薄層厚度,均勻性,保型性而著稱,廣泛應用于集成電路(IC)行業,它使得電子器件持續微型化成為可能,逐漸成為了微電子器件制造,半導體領域的必要技術。例如用于制備品體管柵堆垛、刻蝕終止層。
PS-CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機
CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機主要由鍍膜腔室(500xH430mm),永磁圓形平面靶,真空系統,旋轉加熱基片臺,氣路系統,電氣控制及報警保護系統等組成。